Найдено 678 товаров
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер MaxioTech MAP1602A, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6000 МБайт/с, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер MaxioTech MAP1602A, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6000 МБайт/с, совместимость с PS5
2.5", SATA 3.0, микросхемы MLC, последовательный доступ: 520/420 MBps
2.5", SATA 3.0, микросхемы MLC, последовательный доступ: 520/420 MBps
M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Phison PS5016-E16, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 4700/1950 MBps, случайный доступ: 480000/200000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Phison PS5016-E16, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 4700/1950 MBps, случайный доступ: 480000/200000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Phison PS5016-E16, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4700/4200 МБайт/с, случайный доступ: 800000/800000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Phison PS5016-E16, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4700/4200 МБайт/с, случайный доступ: 800000/800000 IOps, DRAM-буфер
250 ГБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 555/440 MBps, случайный доступ: 80000/78000 IOps
250 ГБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 555/440 MBps, случайный доступ: 80000/78000 IOps
M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 95000/85000 IOps
M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 95000/85000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 7400/5500 МБайт/с, случайный доступ: 600000/800000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 7400/5500 МБайт/с, случайный доступ: 600000/800000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
mSATA, SATA 3.0, микросхемы MLC, последовательный доступ: 570/450 MBps, случайный доступ: 70000/75000 IOps
mSATA, SATA 3.0, микросхемы MLC, последовательный доступ: 570/450 MBps, случайный доступ: 70000/75000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 11700/9500 МБайт/с
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 11700/9500 МБайт/с
2.5", SATA 3.0, контроллер Maxio MAS0902A-B2C, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps, случайный доступ: 40000/65000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Maxio MAS0902A-B2C, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps, случайный доступ: 40000/65000 IOps
512 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2300 MBps, случайный доступ: 400000/600000 IOps
512 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2300 MBps, случайный доступ: 400000/600000 IOps
1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 5000/4500 МБайт/с
1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 5000/4500 МБайт/с
M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 3000/1600 MBps, случайный доступ: 110000/315000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 3000/1600 MBps, случайный доступ: 110000/315000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Phison PS5012-E12, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Phison PS5012-E12, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3300 МБайт/с, случайный доступ: 620000/560000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3300 МБайт/с, случайный доступ: 620000/560000 IOps, DRAM-буфер
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps, случайный доступ: 40000/75000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps, случайный доступ: 40000/75000 IOps
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2256, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/500 МБайт/с, случайный доступ: 55000/80000 IOps
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2256, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/500 МБайт/с, случайный доступ: 55000/80000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1500 MBps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1500 MBps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3300/2800 МБайт/с, случайный доступ: 360000/425000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3300/2800 МБайт/с, случайный доступ: 360000/425000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3300/3000 MBps, случайный доступ: 300000/256000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3300/3000 MBps, случайный доступ: 300000/256000 IOps