Найдено 456 товаров
1.92 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 94000/63000 IOps
1.92 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 94000/63000 IOps
mSATA, mSATA, контроллер Silicon Motion SM2258, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/400 MBps
mSATA, mSATA, контроллер Silicon Motion SM2258, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/400 MBps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 3200/1900 МБайт/с, случайный доступ: 200000/250000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 3200/1900 МБайт/с, случайный доступ: 200000/250000 IOps
500 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Phison PS5013-E13T, последовательный доступ: 1900/1000 MBps, случайный доступ: 60000/200000 IOps
500 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Phison PS5013-E13T, последовательный доступ: 1900/1000 MBps, случайный доступ: 60000/200000 IOps
2.5", SATA 6Gbps, последовательный доступ: 545/525 MBps, случайный доступ: 100000/80000 IOps
2.5", SATA 6Gbps, последовательный доступ: 545/525 MBps, случайный доступ: 100000/80000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 3200/2500 MBps, случайный доступ: 300000/400000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 3200/2500 MBps, случайный доступ: 300000/400000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 12400/11800 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 12400/11800 МБайт/с
1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 4800/4600 MBps, случайный доступ: 400000/530000 IOps
1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 4800/4600 MBps, случайный доступ: 400000/530000 IOps
512 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Innogrit IG5236, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/2600 MBps, случайный доступ: 425000/510000 IOps, совместимость с PS5
512 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Innogrit IG5236, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/2600 MBps, случайный доступ: 425000/510000 IOps, совместимость с PS5
2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3111-S11, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 555/540 MBps, случайный доступ: 82000/88000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3111-S11, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 555/540 MBps, случайный доступ: 82000/88000 IOps
250 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 3200/1300 МБайт/с, случайный доступ: 250000/170000 IOps
250 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 3200/1300 МБайт/с, случайный доступ: 250000/170000 IOps
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3110-S10, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/400 MBps
2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3110-S10, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/400 MBps
256 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Realtek RTS5766DL, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1000 MBps, случайный доступ: 90000/130000 IOps
256 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Realtek RTS5766DL, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1000 MBps, случайный доступ: 90000/130000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный доступ: 90000/80000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный доступ: 90000/80000 IOps
512 ГБ, M.2 2230, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 2000/1100 МБайт/с, случайный доступ: 90000/190000 IOps
512 ГБ, M.2 2230, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 2000/1100 МБайт/с, случайный доступ: 90000/190000 IOps
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 7200/5500 MBps, случайный доступ: 740000/740000 IOps
1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 7200/5500 MBps, случайный доступ: 740000/740000 IOps
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2256, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/500 МБайт/с, случайный доступ: 55000/80000 IOps
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2256, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/500 МБайт/с, случайный доступ: 55000/80000 IOps
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2400/1800 MBps, случайный доступ: 130000/350000 IOps
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2400/1800 MBps, случайный доступ: 130000/350000 IOps
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 560/520 МБайт/с, случайный доступ: 87000/85000 IOps
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 560/520 МБайт/с, случайный доступ: 87000/85000 IOps