Найдено 456 товаров
M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/500 MBps, случайный доступ: 65000/85000 IOps
M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/500 MBps, случайный доступ: 65000/85000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3300/1300 MBps, случайный доступ: 92000/240000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3300/1300 MBps, случайный доступ: 92000/240000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 MBps, случайный доступ: 1000000/850000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 MBps, случайный доступ: 1000000/850000 IOps
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2100/1700 МБайт/с, случайный доступ: 530000/420000 IOps
2 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2100/1700 МБайт/с, случайный доступ: 530000/420000 IOps
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SM2264, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6800 МБайт/с, случайный доступ: 700000/550000 IOps, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SM2264, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6800 МБайт/с, случайный доступ: 700000/550000 IOps, совместимость с PS5
1.92 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 7000/2400 МБайт/с, случайный доступ: 800000/100000 IOps
1.92 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 7000/2400 МБайт/с, случайный доступ: 800000/100000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5200 MBps, случайный доступ: 1000000/850000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5200 MBps, случайный доступ: 1000000/850000 IOps
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3c), микросхемы 3D TLC NAND, случайный доступ: 400000/400000 IOps
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3c), микросхемы 3D TLC NAND, случайный доступ: 400000/400000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1600/400 MBps, случайный доступ: 90000/90000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1600/400 MBps, случайный доступ: 90000/90000 IOps
1 ТБ, M.2 2242, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 2000/1700 МБайт/с, случайный доступ: 102000/275000 IOps
1 ТБ, M.2 2242, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 2000/1700 МБайт/с, случайный доступ: 102000/275000 IOps
500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 3500/2400 МБайт/с, случайный доступ: 220000/500000 IOps
500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 3500/2400 МБайт/с, случайный доступ: 220000/500000 IOps
M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/500 MBps, случайный доступ: 80000/85000 IOps
M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/500 MBps, случайный доступ: 80000/85000 IOps
1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер WD Black G2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6300 MBps, случайный доступ: 800000/1100000 IOps
1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер WD Black G2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6300 MBps, случайный доступ: 800000/1100000 IOps