Найдено 674 товара
4 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/6850 MBps, случайный доступ: 650000/700000 IOps
4 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/6850 MBps, случайный доступ: 650000/700000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Innogrit IG5236, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/5500 MBps, случайный доступ: 800000/800000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Innogrit IG5236, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/5500 MBps, случайный доступ: 800000/800000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/490 MBps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/490 MBps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 450/320 MBps, случайный доступ: 40000/40000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 450/320 MBps, случайный доступ: 40000/40000 IOps
2.5", SATA 6Gbps, контроллер Silicon Motion SM2258, микросхемы NAND TLC, последовательный доступ: 560/520 MBps
2.5", SATA 6Gbps, контроллер Silicon Motion SM2258, микросхемы NAND TLC, последовательный доступ: 560/520 MBps
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Innogrit IG5236, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/5500 MBps, случайный доступ: 350000/720000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Innogrit IG5236, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/5500 MBps, случайный доступ: 350000/720000 IOps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/2500 МБайт/с, случайный доступ: 200000/300000 IOps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/2500 МБайт/с, случайный доступ: 200000/300000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 MBps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 MBps
2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3111-S11, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/450 MBps
2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3111-S11, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/450 MBps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1600/1000 MBps, случайный доступ: 160000/200000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1600/1000 MBps, случайный доступ: 160000/200000 IOps
M.2, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы TLC, последовательный доступ: 530/480 MBps
M.2, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы TLC, последовательный доступ: 530/480 MBps
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер ASolid AS2258, микросхемы 3D TLC NAND
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер ASolid AS2258, микросхемы 3D TLC NAND
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 7200/6800 МБайт/с, случайный доступ: 750000/750000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 7200/6800 МБайт/с, случайный доступ: 750000/750000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 9500/8500 МБайт/с, случайный доступ: 1300000/1400000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 9500/8500 МБайт/с, случайный доступ: 1300000/1400000 IOps, DRAM-буфер
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2000/1610 MBps, случайный доступ: 128000/126000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2000/1610 MBps, случайный доступ: 128000/126000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 5500/2000 MBps, случайный доступ: 800000/85000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 5500/2000 MBps, случайный доступ: 800000/85000 IOps
500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6900/5000 МБайт/с, случайный доступ: 800000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6900/5000 МБайт/с, случайный доступ: 800000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/6550 МБайт/с, случайный доступ: 660000/800000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/6550 МБайт/с, случайный доступ: 660000/800000 IOps
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/500 МБайт/с
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/500 МБайт/с