Процессоры

2021 г, Ice Lake, LGA4189, 16 ядер, 32 потока, частота 3.5/2.9 ГГц, кэш 24 МБ, техпроцесс 10 нм, поддержка DDR4, TDP 185W

Naples, SP3, 24 ядра, частота 3.35/2.8 ГГц, кэш 128 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 180W

2020 г, Cascade Lake, LGA3647, 20 ядер, 40 потоков, частота 4/2.1 ГГц, кэш 27.5 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 125W

Sapphire Rapids, LGA4677, 8 ядер, частота 4.1/2.9 ГГц, кэш 22.5 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 150W

Ice Lake, LGA4189, 28 ядер, частота 3.5/2.6 ГГц, кэш 42 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 235W

2021 г, Rocket Lake, LGA1200, 8 ядер, 16 потоков, частота 5.1/3.2 ГГц, кэш 16 МБ, техпроцесс 14 нм, поддержка DDR4, TDP 95W

2019 г, Cascade Lake, LGA2066, 8 ядер, 16 потоков, частота 4.7/3.9 ГГц, кэш 16.5 МБ, техпроцесс 14 нм, поддержка DDR4, TDP 155W

Comet Lake, LGA1200, 2 ядра, частота 4 ГГц, кэш 4 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 58W

2021 г, Ice Lake, LGA4189, 32 ядра, 64 потока, частота 3.2/2 ГГц, кэш 48 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 205W

2021 г, Alder Lake, LGA1700, 16 ядер, 24 потока, частота 5.2/3.2 ГГц, кэш 14 МБ + 30 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 241W

Cascade Lake, LGA3647, 20 ядер, частота 4.1/3.1 ГГц, кэш 35.75 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 205W

Broadwell, 22 ядра, частота 2.2 ГГц + 55 МБ, техпроцесс 14 нм, сокет LGA2011-3, TDP 145W

2020 г, Vermeer, AM4, 16 ядер, 32 потока, частота 4.9/3.4 ГГц, кэш 8 МБ + 64 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 105W

Skylake, LGA3647, 12 ядер, частота 3.7/2.6 ГГц, кэш 19.3 МБ, TDP 125W

Rocket Lake, LGA1200, 4 ядра, частота 5/3.7 ГГц, кэш 8 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 80W

2022 г, Raphael, AM5, 6 ядер, 12 потоков, частота 5.3/4.7 ГГц, кэш 6 МБ + 32 МБ, техпроцесс 5 нм, поддержка DDR5, TDP 105W

Cascade Lake, LGA3647, 20 ядер, частота 3.9/2.1 ГГц, кэш 28 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 125W

Kaby Lake, 4 ядра, частота 3.6 ГГц + 8 МБ, техпроцесс 14 нм, сокет LGA1151, TDP 65W

Rome, SP3, 16 ядер, частота 3.3/3 ГГц, кэш 128 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 155W

Comet Lake, LGA1200, 10 ядер, частота 5.3/3.7 ГГц, кэш 20 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 125W

Sapphire Rapids, LGA4677, 44 ядра, частота 3.8/2.7 ГГц, кэш 82.5 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 350W