SSD

M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5016-E16, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4950/4250 MBps, случайный доступ: 680000/600000 IOps

M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SMI2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1850/950 MBps, случайный доступ: 102000/230000 IOps

M.2, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 6800/4000 MBps, случайный доступ: 1000000/180000 IOps

2.5", SATA 6Gbps, микросхемы NAND TLC, последовательный доступ: 460/430 MBps

1.92 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2100/1800 МБайт/с, случайный доступ: 280000/250000 IOps

M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/500 MBps, случайный доступ: 65000/85000 IOps

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3100/2200 МБайт/с, случайный доступ: 150000/110000 IOps

500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 3500/2400 МБайт/с, случайный доступ: 220000/500000 IOps

1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4b), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4150/4150 МБайт/с, случайный доступ: 600000/750000 IOps

1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2256, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 550/500 MBps, случайный доступ: 55000/72000 IOps

M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер WD Black G2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5300 MBps, случайный доступ: 1000000/720000 IOps

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с, случайный доступ: 700000/680000 IOps

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, совместимость с PS5

4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер WD Black G2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6600 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1100000 IOps

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 550/500 MBps, случайный доступ: 59000/57000 IOps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Phison PS5021-E21T, микросхемы 3D TLC NAND

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 450/320 MBps, случайный доступ: 40000/40000 IOps

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/500 MBps, случайный доступ: 80000/85000 IOps

4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер

2.5", SATA 6Gbps, микросхемы NAND TLC, последовательный доступ: 550/450 MBps, случайный доступ: 80000/80000 IOps