Найдено 710 товаров
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3300/2500 МБайт/с, случайный доступ: 150000/100000 IOps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3300/2500 МБайт/с, случайный доступ: 150000/100000 IOps
400 ГБ, M.2 22110, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5012-E12DS, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3100/550 МБайт/с, случайный доступ: 205000/40000 IOps
400 ГБ, M.2 22110, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5012-E12DS, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3100/550 МБайт/с, случайный доступ: 205000/40000 IOps
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы TLC, последовательный доступ: 545/465 MBps
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы TLC, последовательный доступ: 545/465 MBps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1500 MBps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1500 MBps
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4600/1400 МБайт/с, случайный доступ: 205000/310000 IOps
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4600/1400 МБайт/с, случайный доступ: 205000/310000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2262ENG, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с, DRAM-буфер
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2262ENG, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с, DRAM-буфер
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3c), микросхемы 3D TLC NAND, случайный доступ: 400000/400000 IOps
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3c), микросхемы 3D TLC NAND, случайный доступ: 400000/400000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с, случайный доступ: 500000/480000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с, случайный доступ: 500000/480000 IOps
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 95000/35000 IOps
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 95000/35000 IOps
2 ТБ, mSATA, SATA 3.0, последовательный доступ: 545/500 MBps
2 ТБ, mSATA, SATA 3.0, последовательный доступ: 545/500 MBps
M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер WD Black G2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 MBps, случайный доступ: 1000000/710000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер WD Black G2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 MBps, случайный доступ: 1000000/710000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 7100/6500 МБайт/с, случайный доступ: 530000/420000 IOps, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 7100/6500 МБайт/с, случайный доступ: 530000/420000 IOps, совместимость с PS5
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/2500 МБайт/с, случайный доступ: 200000/300000 IOps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/2500 МБайт/с, случайный доступ: 200000/300000 IOps
512 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/2500 MBps, случайный доступ: 430000/530000 IOps
512 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/2500 MBps, случайный доступ: 430000/530000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Phison PS5013-E13, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1800/1100 MBps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Phison PS5013-E13, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1800/1100 MBps
2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3111-S11, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 535/500 MBps
2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3111-S11, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 535/500 MBps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 7100/6500 МБайт/с, случайный доступ: 530000/420000 IOps, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 7100/6500 МБайт/с, случайный доступ: 530000/420000 IOps, совместимость с PS5
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1650 MBps, случайный доступ: 290000/260000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1650 MBps, случайный доступ: 290000/260000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3000/1400 MBps, случайный доступ: 480000/42000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3000/1400 MBps, случайный доступ: 480000/42000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 MBps, случайный доступ: 93000/80000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 MBps, случайный доступ: 93000/80000 IOps