Найдено 678 товаров
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/7000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/7000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2262, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3350/2800 МБайт/с, DRAM-буфер
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2262, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3350/2800 МБайт/с, DRAM-буфер
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 2900/1300 MBps, случайный доступ: 230000/320000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 2900/1300 MBps, случайный доступ: 230000/320000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 MBps, случайный доступ: 1000000/850000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 MBps, случайный доступ: 1000000/850000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы TLC, последовательный доступ: 450/350 MBps
2.5", SATA 3.0, микросхемы TLC, последовательный доступ: 450/350 MBps
500 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2200 MBps
500 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2200 MBps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1800/1500 MBps, случайный доступ: 220000/200000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1800/1500 MBps, случайный доступ: 220000/200000 IOps
2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 550/450 MBps
2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 550/450 MBps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/500 MBps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/500 MBps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1400000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1400000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 555/515 MBps, случайный доступ: 55000/80000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 555/515 MBps, случайный доступ: 55000/80000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Phison PS5019-E19T, последовательный доступ: 3600/2830 МБайт/с, случайный доступ: 525000/640000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Phison PS5019-E19T, последовательный доступ: 3600/2830 МБайт/с, случайный доступ: 525000/640000 IOps
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6700 МБайт/с, случайный доступ: 1350000/1150000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6700 МБайт/с, случайный доступ: 1350000/1150000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3500/2100 МБайт/с, случайный доступ: 150000/200000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3500/2100 МБайт/с, случайный доступ: 150000/200000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Phison PS5012-E12, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1500 MBps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Phison PS5012-E12, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1500 MBps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2400/2000 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2400/2000 МБайт/с
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2150/1815 MBps, случайный доступ: 250000/260000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2150/1815 MBps, случайный доступ: 250000/260000 IOps
480 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/565 МБайт/с, случайный доступ: 205000/20000 IOps, DRAM-буфер
480 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/565 МБайт/с, случайный доступ: 205000/20000 IOps, DRAM-буфер
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1800/1500 MBps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1800/1500 MBps
1.92 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2100/1800 МБайт/с, случайный доступ: 280000/250000 IOps
1.92 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2100/1800 МБайт/с, случайный доступ: 280000/250000 IOps