Оперативная память

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39-102, напряжение 1.4 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-96, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.1 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5200 МГц, CL 38T, тайминги 38-38-38-83, напряжение 1.1 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

двухканальный (2 модуля), частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В

96 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 48 ГБ, частота 6800 МГц, CL 34T, тайминги 34-46-46-108, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 5333 МГц, CL 20T, тайминги 20-30-30, напряжение 1.6 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-40-40-84, напряжение 1.4 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-76, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 32T, тайминги 32-38-38-96, напряжение 1.35 В

64 ГБ, 4 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 4 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В

48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 6000 МГц, CL 40T, тайминги 40-48-48-96, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 38T, тайминги 38-38-38-78, напряжение 1.25 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 4266 МГц, CL 19T, тайминги 19-26-26, напряжение 1.4 В