Оперативная память

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.1 В

48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 8000 МГц, CL 40T, тайминги 40-48-48-128, напряжение 1.35 В

48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-89, напряжение 1.25 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 SO-DIMM по 32 ГБ, частота 4800 МГц, CL 38T, тайминги 38-38-38, напряжение 1.1 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 36T, тайминги 36-40-40, напряжение 1.25 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6600 МГц, CL 34T, тайминги 34-40-40-105, напряжение 1.4 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 7800 МГц, CL 38T, тайминги 38-48-48-84, напряжение 1.4 В

1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В

двухканальный (2 модуля), частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2400 МГц, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 8 ГБ, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6800 МГц, CL 34T, тайминги 34-44-44-84, напряжение 1.4 В

48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 7200 МГц, CL 36T, тайминги 36-46-46-115, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-39-39, напряжение 1.1 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-38-38-96, напряжение 1.35 В