Оперативная память

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21-32, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 4266 МГц, CL 19T, тайминги 19-26-26-46, напряжение 1.5 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39, напряжение 1.4 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В

4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2133 МГц

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.25 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 4000 МГц, CL 19T, тайминги 19-23-23-42, напряжение 1.35 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39-102, напряжение 1.4 В

1 модуль, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-20-20-40, напряжение 1.35 В

48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 7200 МГц, CL 38T, тайминги 38-44-44, напряжение 1.45 В

48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 6800 МГц, CL 34T, тайминги 34-46-46-108, напряжение 1.35 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-40-40-96, напряжение 1.4 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-76, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3200 МГц

32 ГБ, 4 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-36-36-96, напряжение 1.4 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 42T, тайминги 42-42-42, напряжение 1.1 В

2 модуля, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-22-22-42, напряжение 1.2 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 SO-DIMM по 32 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.1 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В