Оперативная память

64 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 7600 МГц, CL 38T, тайминги 38-46-46, напряжение 1.45 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 7000 МГц, CL 32T, тайминги 32-48-48-96, напряжение 1.45 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 19T, тайминги 19-20-20-40, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 8 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-76, напряжение 1.25 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

двухканальный (2 модуля), частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16, напряжение 1.2 В

64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

96 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 48 ГБ, частота 6800 МГц, CL 34T, тайминги 34-46-46-108, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 32T, тайминги 32-38-38-96, напряжение 1.4 В

двухканальный (2 модуля), частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-36, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В