Оперативная память

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5600 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-89, напряжение 1.25 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-35, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

64 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 3200 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-40-40-84, напряжение 1.4 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39, напряжение 1.4 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-40-40-96, напряжение 1.4 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 7200 МГц, CL 34T, тайминги 34-45-45-115, напряжение 1.4 В

1 модуль, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 7200 МГц, CL 38T, тайминги 38-44-44, напряжение 1.45 В

двухканальный (2 модуля), частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 4600 МГц, CL 19T, тайминги 19-26-26, напряжение 1.5 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-76, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В