Оперативная память

2 модуля, частота 4000 МГц, CL 19T, тайминги 19-23-23, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 SO-DIMM по 8 ГБ, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-39, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 2666 МГц, CL 18T, тайминги 18-18-18-43, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-38, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 4600 МГц, CL 19T, тайминги 19-26-26, напряжение 1.5 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5200 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-83, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-39-39, напряжение 1.1 В

2 модуля, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-96, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 24T, тайминги 24-24-24, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6800 МГц, CL 34T, тайминги 34-45-45, напряжение 1.4 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 SO-DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 38T, тайминги 38-38-38, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 4600 МГц, CL 19T, тайминги 19-26-26, напряжение 1.5 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

64 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

частота 2133 МГц, CL 15T

16 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 8 ГБ, частота 5600 МГц, CL 36T, тайминги 36-38-38, напряжение 1.25 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 SO-DIMM по 32 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.1 В