Оперативная память Samsung

128 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В

64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21-32, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В

64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.1 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В

64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В