Найдено 996 товаров
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SMI2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1850/950 MBps, случайный доступ: 102000/230000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SMI2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1850/950 MBps, случайный доступ: 102000/230000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3100/2300 MBps, случайный доступ: 500000/500000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3100/2300 MBps, случайный доступ: 500000/500000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 11700/9500 МБайт/с
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 11700/9500 МБайт/с
2.5", U.2 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/3050 MBps, случайный доступ: 638000/222000 IOps
2.5", U.2 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/3050 MBps, случайный доступ: 638000/222000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 MBps, случайный доступ: 90000/54000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 MBps, случайный доступ: 90000/54000 IOps
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 500/400 MBps, случайный доступ: 80000/80000 IOps
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 500/400 MBps, случайный доступ: 80000/80000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), SLC
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), SLC
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 550/500 МБайт/с, случайный доступ: 50000/50000 IOps
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 550/500 МБайт/с, случайный доступ: 50000/50000 IOps
M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 MBps
M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 MBps
mSATA, SATA 3.0, микросхемы MLC, последовательный доступ: 570/450 MBps, случайный доступ: 70000/75000 IOps
mSATA, SATA 3.0, микросхемы MLC, последовательный доступ: 570/450 MBps, случайный доступ: 70000/75000 IOps
U.2, PCI Express 3.1 x4, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 3200/1000 MBps, случайный доступ: 427000/36000 IOps
U.2, PCI Express 3.1 x4, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 3200/1000 MBps, случайный доступ: 427000/36000 IOps
2 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/7000 MBps, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/7000 MBps, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, совместимость с PS5
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c), контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 6900/5000 MBps, случайный доступ: 800000/1000000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c), контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 6900/5000 MBps, случайный доступ: 800000/1000000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps
250 ГБ, M.2, SATA 3.0, последовательный доступ: 555/440 MBps, случайный доступ: 80000/78000 IOps
250 ГБ, M.2, SATA 3.0, последовательный доступ: 555/440 MBps, случайный доступ: 80000/78000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3300/3000 MBps, случайный доступ: 500000/500000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3300/3000 MBps, случайный доступ: 500000/500000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1400000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1400000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
1.92 ТБ, 2.5", U.3 (NVMe), последовательный доступ: 6800/2600 МБайт/с, случайный доступ: 800000/120000 IOps
1.92 ТБ, 2.5", U.3 (NVMe), последовательный доступ: 6800/2600 МБайт/с, случайный доступ: 800000/120000 IOps
1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 MBps, случайный доступ: 1200000/1550000 IOps, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 MBps, случайный доступ: 1200000/1550000 IOps, совместимость с PS5
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 1800/1800 MBps, случайный доступ: 220000/220000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 1800/1800 MBps, случайный доступ: 220000/220000 IOps